SRAM相关论文
当前,随着“摩尔定律”逐步走到尽头,由冯·诺依曼架构所构成的计算体系已经无法满足人工智能等应用对算力的需求。因此,如何有效......
静态随机存储器（Static Random Access Memory,SRAM）是片上系统（So C）的重要组成部分,被大量应用于手持电子设备、传感器和医疗器械等......
灵敏放大器（Sense Amplifier,SA）是SRAM（Static Random Access Memory）读取过程中的关键模块,它决定了SRAM读取过程的时间、功耗和准确......
学位
本文以28nm体硅SRAM和28nm FDSOI SRAM为研究对象,以辐照实验、建模仿真、理论分析为研究方法,探讨了低能质子诱导的单粒子效应。......
大数据时代下,现有的计算结构在面对数据密集型的应用时,会因为大量的数据搬运和带宽的限制带来能耗和延迟上的提高。为了解决访存......
静态随机存取存储器（static random access memory,SRAM）作为高速缓存（cache）,是芯片上不可或缺的组件。随着芯片技术的不断发展,SRAM......
随着科技水平的不断发展,半导体工艺制造技术不断进步,芯片的集成度和复杂度越来越高,这使得设计周期和设计成本显著增加。在这样......
SRAM内部晶体管的密度高,同时SRAM占SoC芯片的面积比例高,导致SRAM的漏电流成为SoC芯片漏电流的主要部分。对于经常需要进入睡眠模......
随着工艺发展和SRAM集成度的提高,随机工艺波动引起的SRAM良率问题日渐突出。常用的蒙特卡洛方法（Monte Carlo,MC）评估良率时需要仿......
集成电路工艺已发展到5纳米节点,器件物理尺寸的持续缩减已难以满足市场对于电路性能和功耗的需求,研究者提出了多种新型低功耗半......
针对多行扫多通道恒流发光二极管(Light Emitting Diode,LED)显示驱动芯片的SRAM选择问题,突破常规选择,基于通用类型的SRAM IP,设......
随着半导体产业与生产技术的成熟发展,及逻辑单元工艺尺寸的不断减小,数字逻辑状态维持的临界电压不断下降,由各种辐射因素带来的......
随着我国航天事业的蓬勃发展,空间辐射环境对半导体器件的辐照损伤也越来越难以忽视。一方面,随着集成电路工艺的发展,器件尺寸也......
在处理深度神经网络这类数据密集型应用的过程中,处理器和存储器间大量数据的频繁传输会造成严重的性能损耗和能量消耗,也是当前冯......
高性能嵌入式存储器是现代数字信号处理器(DSP)的重要部件之一，特别随着DSP芯片设计的SOC化，其容量的大小、工作频率的高低直接影响......
静态随机存储器(SRAM)是SoC中的重要模块,它的时序参数影响着整个系统的性能。然而在工艺不稳定的情况下,电子设计自动化(EDA)工具......
集成电路产业进入深亚微米阶段,芯片规模急剧增大,对于数据信息的巨大存储需求使得嵌入式存储器在片上系统(SOC)中的集成度越来越......
在当今社会发展过程中,消费类电子对存储的需求愈加强烈,存储器在各类集成电路产品中的角色变得越来越重要。人们为了扩大存储容量......
数据包分类在Internet应用程序中的使用相当广泛,例如路由、过滤、入侵检测、计费、监视和虚拟专用网络等。包分类根据指定的过滤......
基于航空航天领域对空间探测的需求,集成电路面临着工作环境充满宇宙辐射的挑战。一方面,宇宙环境中的各种高能粒子会造成电路失效......
基于IP的集成电路设计已经成为主流,在IP交付时,不仅需要确保IP的功能满足要求,IP接口的时序参数也要保证。硬核IP需要在芯片上进......
辐射效应对于电子芯片造成的影响随着集成电路技术的提升而愈加严峻,对于集成电路的加固设计也提出了新的要求。静态随机存储器SRA......
随着科技的发展,人们将探索的步伐迈向了太空,但是星载系统中的SRAM存储器在工作时极易受到单粒子效应的影响,为解决这一问题,人们......
不同于静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM),TCAM(Ternary Content Addressable Memory)不仅可以通过地址来访......
几十年来,摩尔定律作为集成电路行业的“黄金准则”一直引领着半导体器件向着不断缩小的方向发展。传统平面MOSFET在深亚微米尺寸......
空间辐射效应是影响航天器器件在宇宙空间中稳定运行的重要因素之一,为了确保航天器器件在轨运行的稳定性及可靠性,需要在地面进行......
随着航天事业的蓬勃发展,人们越来越认识到辐射环境中高能粒子对电子系统的瞬时辐射损伤不容忽视,辐射导致的软错误甚至永久性损伤......
随着现代芯片事业的迅速发展,芯片加密越来越受到高校和企业的关注。传统的加密方式是指将芯片指纹存储于ROM等非易失介质中,这些......
本文主要介绍了一种SRAM内建自测电路的设计与应用。本文设计的SRAMBIST电路具有故障覆盖率高、结构简单和可复用性高等特点。 ......
SRAM是计算机系统中的必不可少的组成部分,它扮演着直接与CPU对话的重要角色。尺寸不断缩小的COMS工艺技术有利于提高SRAM性能,减......
大的位线电容是片上高速缓存性能的主要瓶颈。本论文中通过使用分级分割位线的方法降低了存储器的位线电容,进而也降低了SRAM的动......
随着半导体加工工艺的发展,晶体管的特征线宽越来越小,现已降到数十纳米数量级。这一变化趋势在提高芯片集成度的同时提高了晶体管......
由于具有高密度、低成本、可动态重构等特有的优势,SRAM型FPGA在航天领域中得到越来越广泛的关注。但是在空间辐射环境下,SRAM型FP......
对非易失性存储器MRAM(Magnetic Random Access Memory磁阻随机存取存储器)特性进行分析,论述了其独特的工作原理,对其发展历程作......
本文搭建了一种测试SRAM芯片耐电离辐射能力的系统.该系统可确定SRAM芯片在辐射环境下的最大抗总剂量率,也可为评价SRAM芯片的单粒......
为了解决深亚微米及纳米尺寸下SRAM设计在可靠性及其他性能方面所面临的挑战,在分析不同存储单元的基础上,提出了一种优化的具有高......
对6T SRAM的访问时间进行解析,得到在随机掺杂波动影响下6T SRAM访问时间的模型,结果与HSPICE仿真结果相符.通过分析偏置技术与访......
通过对ETC公司的商用256kb和1Mb CMOS SRAM器件在不同偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射效应的研究,获得了SRAM......
在深亚微米工艺下,单粒子效应引入的瞬态电流与粒子入射位置有关.基于粒子入射距离,提出了一种针对电路级仿真的一维瞬态电流源注......
提出了12管低功耗SRAM加固单元.基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗.基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒......
QDR2 RAM是一种特殊结构的SRAM，它的读写端口是分开的，有两套读写数据总线。地址是读写共享的．对BURST长度为2的QDR2 RAM来说，渎地址在......
随着SOI器件尺寸不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于其敏感区域的机理研究显得越来越重要.本文利用软件对SOI MO......
为了降低静态随机存储器(SRAM)的功耗,提出了一种完全采用绝热电路实现的W A SRAM(W ho le A d iabaticSRAM),W A SRAM的译码部分......
单一事件扰乱（Single-event Upset,SEU）对设备可靠性的影响,已逐渐从太空延伸到医疗电子等高可靠性的应用。事实上,FPGA元件各逻辑间......
设计了一种静态随机读写存储器(SRAM)的BiCMOS存储单元及其外围电路。HSpice仿真结果表明,所设计的SRAM电路的电源电压可低于3V......
实现高速C5402 DSP芯片与低速外部存储器(片外RAM和片外ROM)之间的数据通信,包括外部存储器的选取、DSP与其接口电路,指出了大容量......
静态随机存储器SRAM是数字系统的最重要部件之一,深亚微米工艺制造技术使得高速低功耗大容量SRAM成为可能.本文结合90nm工艺条件下......
